NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor

Pd - рассеивание мощности: 384 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.1 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 40 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: NGTB20N120IHR, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 16.25мм, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Maximum Collector Emitter Voltage: 1200 V, Maximum Continuous Collector Current: 40 A, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 384 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Width: 5.3мм, Height: 21.4mm, Pin Count: 3, Dimensions: 16.25 x 5.3 x 21.4mm, Switching Speed: 1МГц, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Channel Type: N, Вес, г: 6.5, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

NGTB20N120IHRWG – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 1 870 ₽ за штуку. Купите NGTB20N120IHRWG по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить NGTB20N120IHRWG ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на NGTB20N120IHRWG вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\