IXTH6N50D2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 6 A, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Qg - заряд затвора: 96 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 550 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 72 ns, Время спада: 43 ns, Канальный режим: Depletion, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 2.8 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTH6N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 82 ns, Типичное время задержки при включении: 28 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, ECCN: EAR99, FET Feature: Depletion Mode, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 5V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-247 (IXTH), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Вес, г: 6, Бренд: Ixys Corporation

IXTH6N50D2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 1 505 ₽ за штуку. Купите IXTH6N50D2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXTH6N50D2 Ixys в