FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2,5А, 40Вт, DPAK, UniFET™ ON Semiconductor

Id - непрерывный ток утечки: 2.5 A, Pd - рассеивание мощности: 40 W, Qg - заряд затвора: 6.2 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.1 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V, + 25 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 5 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 15 ns, Время спада: 17 ns, Высота: 2.39 mm, Длина: 6.73 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1.9 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 2500, Серия: FDD3N50NZ, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 26 ns, Типичное время задержки при включении: 10 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-252-3, Ширина: 6.22 mm, Вес, г: 0.05, Бренд: ON Semiconductor

FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 376 ₽ за штуку. Купите FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FDD3N50NZTM, Транзистор N-MOSFET, полевой, 500В, 2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\