PESD5V0S2UAT NXP Semiconductors

Кат. номер: PESD5V0S2UAT
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Diode Configuration: Общий катод, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Защита от электрических разрядов: Yes, Количество элементов на ИС: 2, Длина: 3мм, Максимальное напряжение фиксации: 20V, Минимальное пробивное напряжение: 6.4V, Производитель: Nexperia, Максимальный пиковый импульсный ток: 15A, Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Испытательный ток: 5mA, Максимальное обратное напряжение стабилизации: 5V, Максимальный обратный ток утечки: 1мкА, Высота: 1мм, Число контактов: 3, Размеры: 3 x 1.4 x 1мм, Тип направления: Однонаправленный, Рассеяние пиковой импульсной мощности: 260W, Бренд: NXP Semiconductor

\

PESD5V0S2UAT – артикул товара бренда NXP Semiconductors с розничной ценой 48 ₽ за штуку. Купите PESD5V0S2UAT по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию NXP Semiconductors для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить PESD5V0S2UAT NXP Semiconductors в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги NXP Semiconductors и уточнить персональную цену на PESD5V0S2UAT вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ NXP Semiconductors\
\
\ Артикул\ \ PESD5V0S2UAT\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Diode Configuration: Общий катод, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Защита от электрических разрядов: Yes, Количество элементов на ИС: 2, Длина: 3мм, Максимальное напряжение фиксации: 20V, Минимальное пробивное напряжение: 6.4V, Производитель: Nexperia, Максимальный пиковый импульсный ток: 15A, Тип корпуса: SOT-23 (TO-236AB), Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -65 °C, Ширина: 1.4мм, Испытательный ток: 5mA, Максимальное обратное напряжение стабилизации: 5V, Максимальный обратный ток утечки: 1мкА, Высота: 1мм, Число контактов: 3, Размеры: 3 x 1.4 x 1мм, Тип направления: Однонаправленный, Рассеяние пиковой импульсной мощности: 260W, Бренд: NXP Semiconductor

\

PESD5V0S2UAT – артикул товара бренда NXP Semiconductors с розничной ценой 48 ₽ за штуку. Купите PESD5V0S2UAT по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию NXP Semiconductors для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить PESD5V0S2UAT NXP Semiconductors в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги NXP Semiconductors и уточнить персональную цену на PESD5V0S2UAT вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image