IXTP100N04T2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 100 A, Pd - рассеивание мощности: 150 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 7 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 40 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 5.2 ns, Время спада: 6.4 ns, Высота: 9.15 mm, Длина: 10.66 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXTP100N04, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 15.8 ns, Типичное время задержки при включении: 12 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.83 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 100A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.5nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2690pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchT2в„ў ->, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250ВµA, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXTP100N04T2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 329 ₽ за штуку. Купите IXTP100N04T2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXTP100N04T2 Ixy