IXTH110N25T Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 16.26mm, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 110 А, Package Type: TO-247, Maximum Power Dissipation: 694 W, Серия: Trench, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 5.3мм, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Высота: 21.46mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Maximum Drain Source Resistance: 24 m?, Maximum Drain Source Voltage: 250 V, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 157 nC @ 10 V, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Forward Diode Voltage: 1.2V, Id - непрерывный ток утечки: 110 A, Pd - рассеивание мощности: 694 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 24 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 250 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 27 ns, Время спада: 27 ns, Длина: 16.26 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 60 ns, Типичное время задержки при включении: 19 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Ширина: 5.3 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 110A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 250V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power Dissipation (Max): 694W (Tc), Rds On (Ma