IXFK140N30P Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 140 A, Pd - рассеивание мощности: 1040 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 24 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 30 ns, Время спада: 20 ns, Высота: 26.59 mm, Длина: 20.29 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HyperFET, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Серия: IXFK140N30, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 100 ns, Типичное время задержки при включении: 30 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Ширина: 5.31 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 140A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 300V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Power Dissipation (Max): 1040W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: HiPerFETв„ў, PolarP2в„ў ->, Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA, Transistor Mounting: Through Hole, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Измерения Rds(on): 10В, Напряжение Истока-стока Vds: 300В, Непрерывный Ток Стока: 140А, Пороговое Напряжение Vgs: 5В, Рассеиваемая Мощность: 1.04кВт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(