BSS127S-7 Diodes

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 70 мА, Тип корпуса: SOT-23, Максимальное рассеяние мощности: 1,25 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 1.4мм, Высота: 1.1мм, Размеры: 3 x 1.4 x 1.1мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 3мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 5 нс, Производитель: DiodesZetex, Типичное время задержки выключения: 28,7 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4.5V, Максимальное сопротивление сток-исток: 190 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 1,08 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 21,8 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.29.00.95, Package Width: 1.3, Package Length: 2.9, Lead Shape: Gull-wing, Package Height: 0.98, Maximum Positive Gate Source Voltage (V): 20, Mounting: Surface Mount, PCB changed: 3, Maximum Diode Forward Voltage (V): 1.5, Product Category: Power MOSFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 600, Maximum Gate Source Voltage (V): ±20, Operating Junction Temperature (°C): -55 to 150, Maximum Gate Threshold Voltage (V): 4.5, Maximum Continuous Drain Current (A): 0.07, Maximum Gate Source Leakage Current (nA): 100, Maximum IDSS (uA): 0.1, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 160000@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 1.08@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 1.08, Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 21.8@25V, Maximum Power Dissipation (mW): 1250, Typical Fall Time (ns): 168, Typical Rise Time (ns): 7.2, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 28.7, Typical Turn-On Delay Time (ns): 5, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Tempe