CY62128ELL-45SXI Infineon

Maximum Operating Temperature: +85 °C, Length: 20.751mm, Minimum Operating Supply Voltage: 4.5 V, Brand: Cypress Semiconductor, Memory Size: 1Мбит, Package Type: SOIC, Low Power: Yes, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Maximum Random Access Time: 45ns, Width: 11.43мм, Organisation: 128K x 16 bit, Высота: 2.895mm, Address Bus Width: 8бит, Maximum Operating Supply Voltage: 5.5 V, Pin Count: 32, Dimensions: 20.751 x 11.43 x 2.895mm, Number of Words: 128K, Number of Bits per Word: 16бит, Access Time: 45ns, Base Product Number: CY62128 ->, ECCN: 3A991B2B, HTSUS: 8542.32.0041, Memory Format: SRAM, Memory Interface: Parallel, Memory Type: Volatile, Moisture Sensitivity Level (MSL): 3 (168 Hours), Operating Temperature: -40В°C \~ 85В°C (TA), Package: Tube, Package / Case: 32-SOIC (0.445, 11.30mm Width), REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: MoBLВ® ->, Supplier Device Package: 32-SOIC, Technology: SRAM - Asynchronous, Video File: Cypress’ IoT Memory: Power Snooze SRAM, Voltage - Supply: 4.5V \~ 5.5V, Write Cycle Time - Word, Page: 45ns, Количество бит на слово: 8бит, Количество слов: 128K, Максимальная рабочая температура: +85 C, Максимальное время произвольного доступа: 45нс, Максимальное рабочее напряжение питания: 5.5 В, Минимальная рабочая температура: -40 C, Минимальное рабочее напряжение питания: 4.5 В, Низкая мощность: Да, Объем памяти: 1Мбит, Организация: 128К x 8 бит, Страна происхождения: US, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Частота синхронизации: 1МГц, Число контактов: 32, Ширина: 11.43мм, Ширина адресной шины: 8бит, Automotive: No, Chip Density (bit): 1M, Data Rate Architecture: SDR, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Max. Access Time (ns): 45, Maximum Operating Supply Voltage (V): 5.5, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Minimum Operating Supply Voltage (V): 4.5, Minimum Operating Temperature (°C): -