IKW25N120H3XK Infineon

Кат. номер: IKW25N120H3XK
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Pd - рассеивание мощности: 326 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: SP000674418 IKW25N120H3 IKW25N120H3FKSA1, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.05 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: Trenchstop IGBT4, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

IKW25N120H3XK – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 2 223 ₽ за штуку. Купите IKW25N120H3XK по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IKW25N120H3XK Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IKW25N120H3XK вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ Infineon\
\
\ Артикул\ \ IKW25N120H3XK\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Pd - рассеивание мощности: 326 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: SP000674418 IKW25N120H3 IKW25N120H3FKSA1, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.05 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: Trenchstop IGBT4, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 600 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

IKW25N120H3XK – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 2 223 ₽ за штуку. Купите IKW25N120H3XK по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IKW25N120H3XK Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IKW25N120H3XK вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image