ESDM3051N2T5G ON Semiconductor

Количество Выводов: 2вывод(-ов), Максимальное Фиксированное Напряжение: 8.2В, Рассеиваемая Мощность: 250мВт, Стиль Корпуса Диода: X2DFN, Diode Configuration: Одинарный, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Защита от электрических разрядов: Yes, Number of Elements per Chip: 1, Length: 1мм, Максимальное напряжение фиксации: 6V, Минимальное пробивное напряжение: 5.1V, Brand: ON Semiconductor, Maximum Peak Pulse Current: 9.9A, Package Type: X2DFN, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Емкость: 21pF, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Ширина: 0.6мм, Test Current: 1mA, Maximum Reverse Stand-off Voltage: 5V, Maximum Reverse Leakage Current: 100нА, Height: 0.35мм, Число контактов: 2, Dimensions: 1 x 0.6 x 0.35mm, Тип направления: Двунаправленный, Конфигурация диода: Одинарный, Maximum Operating Temperature: +150 °C, ESD protection: Yes, Maximum Clamping Voltage: 6V, Тип корпуса: X2DFN, Capacitance: 21pF, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Width: 0.6мм, Испытательный ток: 1mA, Максимальный обратный ток утечки: 100нА, Pin Count: 2, Размеры: 1 x 0.6 x 0.35mm, Cd - емкость диода: 21 pF, Iпи - пиковый импульсный ток: 8 A, Pd - рассеивание мощности: 250 mW, Vеср - напряжение электростатического разряда при воздушном зазоре: 30 kV, Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте: 30 kV, Категория продукта: Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с, Количество каналов: 1 Channel, Напряжение пробоя: 5.1 V, Напряжение фиксации: 8.2 V, Подкатегория: TVS Diodes / ESD Suppression Diodes, Полярность: Bidirectional, Рабочее напряжение: 5 V, Размер фабричной упаковки: 8000, Серия: ESDM3051, Тип выводов: SMD/SMT, Тип продукта: ESD Suppressors, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: X2DFN-2, Automotive: No, Configuration: Single, Direction Type: Bi-Directional, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: No Lead, Maximum Breakdown Voltage (V): 7, Maximum Clamping Voltage (V): 8.2, Maximum Leakage Current (uA)