FQP7P06 ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 7 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 45 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.1 x 4.7 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 7 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 7.5 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 410 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 60 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 6.3 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 225 пФ при 25 В, Тип канала: A, P, Максимальное напряжение затвор-исток: -25 В, +25 В, Length: 10.1мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: ON Semiconductor, Width: 4.7мм, Height: 9.4мм, Минимальное пороговое напряжение включения: 2V, Maximum Drain Source Voltage: 60 В, Pin Count: 3, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Maximum Gate Source Voltage: -25 В, +25 В, Id - непрерывный ток утечки: 6.7 A, Pd - рассеивание мощности: 45 W, Qg - заряд затвора: 8.2 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 410 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 25 V, + 25 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 50 ns, Время спада: 25 ns, Другие названия товара №: FQP7P06_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 4 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки при вк