Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru

Pd - рассеивание мощности: 306 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.95 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: HighSpeed 3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 8.03, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\IGW40N60H3FKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 506 ₽ за штуку. Купите IGW40N60H3FKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IGW40N60H3FKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW40N60H3FKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Pd - рассеивание мощности: 306 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IGW40N60H3FKSA1 IGW4N6H3XK SP000769926, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.95 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: HighSpeed 3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 8.03, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\IGW40N60H3FKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 506 ₽ за штуку. Купите IGW40N60H3FKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IGW40N60H3FKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IGW40N60H3FKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\© 2025 ООО «Компказань», все права защищены
Политика в отношении обработки персональных данных и данных cookie