Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
IXTT10P60 Ixys
Кат. номер: IXTT10P60
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Id - непрерывный ток утечки: 10 A, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTT10P60, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 10A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-268, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250ВµA, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation
\IXTT10P60 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 093 ₽ за штуку. Купите IXTT10P60 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXTT10P60 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTT10P60 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Ixys\
\
\
Артикул\
\
IXTT10P60\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Id - непрерывный ток утечки: 10 A, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTT10P60, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 10A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-268, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250ВµA, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation
\IXTT10P60 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 093 ₽ за штуку. Купите IXTT10P60 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXTT10P60 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXTT10P60 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\