Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
FF200R12KT3 Infineon
Кат. номер: FF200R12KT3
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.9 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: FF200R12KT3HOSA1 SP000100789, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 295 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Вес, г: 340, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\FF200R12KT3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 35 739 ₽ за штуку. Купите FF200R12KT3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FF200R12KT3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF200R12KT3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Infineon\
\
\
Артикул\
\
FF200R12KT3\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 30.9 mm, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: FF200R12KT3HOSA1 SP000100789, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 295 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: 62 mm, Ширина: 61.4 mm, Вес, г: 340, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\FF200R12KT3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 35 739 ₽ за штуку. Купите FF200R12KT3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FF200R12KT3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FF200R12KT3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\