APT75GP120J Microchip

Pd - рассеивание мощности: 543 W, Вид монтажа: Chassis Mount, Высота: 9.6 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 38.2 mm, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: POWER MOS 7 IGBT, ISOTOP, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 3.3 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 128 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 1, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Microsemi, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: SOT-227-4, Ширина: 25.4 mm, Base Product Number: APT75GP120 ->, Configuration: Single, Current - Collector (Ic) (Max): 128A, Current - Collector Cutoff (Max): 1mA, ECCN: EAR99, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input: Standard, Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.04nF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Chassis Mount, NTC Thermistor: No, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: ISOTOP, Power - Max: 543W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: RoHS Compliant, Series: POWER MOS 7В® ->, Supplier Device Package: ISOTOPВ®, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 75A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V, Вес, г: 30, Бренд: Microchip Technology

APT75GP120J – артикул товара бренда Microchip с розничной ценой 20 310 ₽ за штуку. Купите APT75GP120J по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Microchip для наших постоянных клиентов.\

\ Купить APT75GP120J Microchip в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой