IXDH20N120D1 Ixys
Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 16.26мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Ixys, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 38 A, Тип корпуса: TO-247AD, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 5.3мм, Высота: 21.46мм, Число контактов: 3, Размеры: 16.26 x 5.3 x 21.46мм, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Вид монтажа: Through Hole, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток: 38 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 38 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXDH20N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 500 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 2, Бренд: Ixys Corporation
\IXDH20N120D1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 481 ₽ за штуку. Купите IXDH20N120D1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXDH20N120D1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXDH20N120D1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Максимальная рабочая температура: +150 °C, Длина: 16.26мм, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: Ixys, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 38 A, Тип корпуса: TO-247AD, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Ширина: 5.3мм, Высота: 21.46мм, Число контактов: 3, Размеры: 16.26 x 5.3 x 21.46мм, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: ±20V, Тип канала: N, Pd - рассеивание мощности: 200 W, Вид монтажа: Through Hole, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.4 V, Непрерывный коллекторный ток: 38 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 38 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 50 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXDH20N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 500 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 2, Бренд: Ixys Corporation
\IXDH20N120D1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 481 ₽ за штуку. Купите IXDH20N120D1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить IXDH20N120D1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Ixys и уточнить персональную цену на IXDH20N120D1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\