IHW30N110R3FKSA1 Infineon

Кат. номер: IHW30N110R3FKSA1
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1100 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.55 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: RC, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 5.4, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

IHW30N110R3FKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 376 ₽ за штуку. Купите IHW30N110R3FKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IHW30N110R3FKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IHW30N110R3FKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ Infineon\
\
\ Артикул\ \ IHW30N110R3FKSA1\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IHW30N110R3 IHW3N11R3XK SP000702510, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1100 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.55 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 60 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: RC, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 5.4, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

IHW30N110R3FKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 1 376 ₽ за штуку. Купите IHW30N110R3FKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить IHW30N110R3FKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IHW30N110R3FKSA1 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image