FP50R06W2E3 Infineon

Кат. номер: FP50R06W2E3
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\

Pd - рассеивание мощности: 175 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: EasyPIM, Конфигурация: IGBT-Inverter, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 65 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 15, Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Module, Вес, г: 39, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

FP50R06W2E3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 617 ₽ за штуку. Купите FP50R06W2E3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить FP50R06W2E3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP50R06W2E3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
Узнать стоимость и срок поставки
\
\ Наличие\ \ Под заказ\
\
\ Производитель\ \ Infineon\
\
\ Артикул\ \ FP50R06W2E3\
\
\ Гарантия\ \ 12 месяцев\
\
\ Состояние\ \ Новый\
\
\

Pd - рассеивание мощности: 175 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Другие названия товара №: SP000375909 FP50R06W2E3BOMA1, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Коммерческое обозначение: EasyPIM, Конфигурация: IGBT-Inverter, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.45 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 65 A, Подкатегория: IGBTs, Продукт: IGBT Silicon Modules, Размер фабричной упаковки: 15, Серия: Trench/Fieldstop IGBT3 - E3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: Module, Вес, г: 39, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

\

FP50R06W2E3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 15 617 ₽ за штуку. Купите FP50R06W2E3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\

\ Купить FP50R06W2E3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на FP50R06W2E3 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\

\
×
Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
Image