IXFK150N30P3 Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 150 А, Тип корпуса: TO-264, Максимальное рассеяние мощности: 1.3 kW, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.13мм, Высота: 26.16мм, Размеры: 19.96 x 5.13 x 26.16мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 19.96мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 44 нс, Производитель: Ixys, Типичное время задержки выключения: 74 ns, Серия: HiperFET, Polar3, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5, Максимальное сопротивление сток-исток: 19 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 300 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 197 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 12100 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 150 A, Pd - рассеивание мощности: 1.3 mW, Qg - заряд затвора: 197 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 19 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 300 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 25, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-264-3, Brand: Ixys, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальное пороговое напряжение включения: 5V, Страна происхождения: US, Вес, г: 10, Бренд: Ixys Corporation

IXFK150N30P3 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 3 834 ₽ за штуку. Купите IXFK150N30P3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянн