FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor
Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: to-247, Рассеиваемая Мощность: 333Вт, DC Ток Коллектора: 120А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.6В, Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 0.1, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGH60T65SQD-F155 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 2 164 ₽ за штуку. Купите FGH60T65SQD-F155 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGH60T65SQD-F155 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\Максимальная Рабочая Температура: 175 C, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Напряжение Коллектор-Эмиттер: 650В, Стиль Корпуса Транзистора: to-247, Рассеиваемая Мощность: 333Вт, DC Ток Коллектора: 120А, Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on): 1.6В, Pd - рассеивание мощности: 333 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 450, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 0.1, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGH60T65SQD-F155 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 2 164 ₽ за штуку. Купите FGH60T65SQD-F155 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGH60T65SQD-F155 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGH60T65SQD-F155 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\