2N7000-D26Z ON Semiconductor

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 5.2mm, Transistor Configuration: Single, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 200 mA, Package Type: TO-92, Maximum Power Dissipation: 400 mW, Mounting Type: Through Hole, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 4.19mm, Minimum Gate Threshold Voltage: 0.8V, Height: 5.33mm, Maximum Drain Source Resistance: 9 ?, Maximum Drain Source Voltage: 60 V, Pin Count: 3, Transistor Material: Si, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: -40 V, +40 V, Id - непрерывный ток утечки: 200 mA, Pd - рассеивание мощности: 400 mW, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.2 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 5.33 mm, Длина: 5.2 mm, Другие названия товара №: 2N7000_D26Z, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 0.1 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET Small Signal, Размер фабричной упаковки: 2000, Серия: 2N7000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка: Reel, Cut Tape, Упаковка / блок: TO-92-3, Ширина: 4.19 mm, Continuous Drain Current (Id) @ 25В°C: 200mA, Power Dissipation-Max (Ta=25В°C): 400mW, Rds On - Drain-Source Resistance: 5О© @ 500mA,10V, Transistor Polarity: N Channel, Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60V, Vgs - Gate-Source Voltage: 3V @ 1mA, Вес, г: 1, Бренд: ON Semiconductor

2N7000-D26Z – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 106 ₽ за штуку. Купите 2N7000-D26Z по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor дл