MJD31CT4G ON Semiconductor

EU RoHS: Compliant with Exemption, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.29.00.95, Type: NPN, Product Category: Bipolar Power, Material: Si, Configuration: Single, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Collector Base Voltage (V): 100, Maximum Collector-Emitter Voltage (V): 100, Maximum Emitter Base Voltage (V): 5, Operating Junction Temperature (°C): -65 to 150, Maximum Base Current (A): 1, Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V): 1.2@375mA@3A, Maximum DC Collector Current (A): 3, Minimum DC Current Gain: 25@1A@4V|10@3A@4V, Maximum Power Dissipation (mW): 1560, Maximum Transition Frequency (MHz): 3(Min), Minimum Operating Temperature (°C): -65, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Packaging: Tape and Reel, Standard Package Name: TO-252, Pin Count: 3, Supplier Package: DPAK, Military: No, Mounting: Surface Mount, Package Height: 2.38(Max), Package Length: 6.73(Max), Package Width: 6.22(Max), PCB changed: 2, Lead Shape: Gull-wing, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

MJD31CT4G – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 54 ₽ за штуку. Купите MJD31CT4G по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\

\ Купить MJD31CT4G ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на MJD31CT4G вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\