Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Power Driver, -9.4 A, 10 A 8-Pin, DSO Infineon
Кат. номер: 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow (1EDI60N12AFX
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Максимальная рабочая температура: +125 °C, Топология: Гальванически изолированный, Длина: 5мм, Время нарастания: 20нс, Количество выходов: 2, Минимальное рабочее напряжение питания: 3,1 В, Производитель: Infineon, Полярность: Инвертирующий, неинвертирующий, Логическая совместимость входного сигнала: CMOS, Тип корпуса: DSO, Тип монтажа: Surface Mount, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 4мм, Время спада: 19нс, Высота: 1.65мм, Максимальное рабочее напряжение питания: 17 В, Число контактов: 8, Размеры: 5 x 4 x 1.65мм, Зависимость стороны высокого и низкого давления: Независимый, Пиковый выходной ток: -9.4 A, 10 A, Количество драйверов: 2, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 517 ₽ за штуку. Купите 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
Infineon\
\
\
Артикул\
\
1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow (1EDI60N12AFXUMA1DualGalvanicIsolatedMOSFETPow)\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Максимальная рабочая температура: +125 °C, Топология: Гальванически изолированный, Длина: 5мм, Время нарастания: 20нс, Количество выходов: 2, Минимальное рабочее напряжение питания: 3,1 В, Производитель: Infineon, Полярность: Инвертирующий, неинвертирующий, Логическая совместимость входного сигнала: CMOS, Тип корпуса: DSO, Тип монтажа: Surface Mount, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 4мм, Время спада: 19нс, Высота: 1.65мм, Максимальное рабочее напряжение питания: 17 В, Число контактов: 8, Размеры: 5 x 4 x 1.65мм, Зависимость стороны высокого и низкого давления: Независимый, Пиковый выходной ток: -9.4 A, 10 A, Количество драйверов: 2, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.
\1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 517 ₽ за штуку. Купите 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на 1EDI60N12AFXUMA1 Dual Galvanic Isolated MOSFET Pow вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\