IRLU8743PBF Infineon

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 160 A, Тип корпуса: IPAK (TO-251), Максимальное рассеяние мощности: 135 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.39мм, Высота: 6.22мм, Размеры: 6.73 x 2.39 x 6.22мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 19 ns, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 21 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 2.35V, Minimum Gate Threshold Voltage: 1.35V, Максимальное сопротивление сток-исток: 3 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 30 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 39 nC @ 4.5 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 4880 пФ при 15 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 6.73мм, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: Infineon, Package Type: IPAK (TO-251), Maximum Power Dissipation: 135 W, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 2.39мм, Height: 6.22мм, Maximum Drain Source Resistance: 3 м?, Maximum Drain Source Voltage: 30 В, Typical Gate Charge @ Vgs: 39 нКл при 4,5 В, Channel Mode: Поднятие, Maximum Gate Source Voltage: -20 В, +20 В, Id - непрерывный ток утечки: 160 A, Pd - рассеивание мощности: 135 W, Qg - заряд затвора: 59 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 3.9 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 30 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Chann