FQB5N50CTM ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 5 A, Тип корпуса: D2PAK (TO-263), Максимальное рассеяние мощности: 73 W, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Ширина: 9.65мм, Высота: 4.83мм, Размеры: 10.67 x 9.65 x 4.83мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 12 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 50 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.4 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 18 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 480 pF@ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 5 A, Pd - рассеивание мощности: 73 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.4 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 46 ns, Время спада: 48 ns, Другие названия товара №: FQB5N50CTM_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.2 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 800, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 12 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка / блок: TO-263-3, Вес, г: 1.66, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

FQB5N50CTM – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 247 ₽ за штуку. Купите FQB5N50CTM по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших посто