FQP7N80C ON Semiconductor

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 6,6 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 167 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.1 x 4.7 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.1мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 35 ns, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 50 ns, Серия: QFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 1.9 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 800 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 27 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1290 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Number of Elements per Chip: 1, Brand: ON Semiconductor, Maximum Continuous Drain Current: 6,6 А, Maximum Power Dissipation: 167 Вт, Mounting Type: Монтаж на плату в отверстия, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Height: 9.4мм, Maximum Drain Source Resistance: 1,9 ?, Maximum Gate Source Voltage: -30 В, +30 В, Id - непрерывный ток утечки: 6.6 A, Pd - рассеивание мощности: 167 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 1.9 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 800 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 100 ns, Время спада: 60 ns, Другие названия товара №: FQP7N80C_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: QFET, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 5.5 S, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 35 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаков