IKW50N60DTPXKSA1 Infineon

Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 16.13mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: Infineon, Maximum Collector Emitter Voltage: 600 V, Maximum Continuous Collector Current: 80 A, Package Type: TO-247, Максимальное рассеяние мощности: 319.2 W, Energy Rating: 2.38mJ, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Width: 5.21mm, Number of Transistors: 1, Высота: 21.1mm, Pin Count: 3, Dimensions: 16.13 x 5.21 x 21.1mm, Switching Speed: 30kHz, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Тип канала: N, Gate Capacitance: 1950pF, Pd - рассеивание мощности: 319.2 W, Вид монтажа: Through Hole, Другие названия товара №: IKW50N60DTP SP001379678, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: TRENCHSTOP, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 600 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.6 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 80 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 240, Серия: Trenchstop IGBT3, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Вес, г: 6.15, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

IKW50N60DTPXKSA1 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 764 ₽ за штуку. Купите IKW50N60DTPXKSA1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IKW50N60DTPXKSA1 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\

\ Подобрать аналоги Infineon и уточнить персональную цену на IKW50N60DTPXKSA1 вы сможете, поз