IXTT16P60P Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 16 A, Pd - рассеивание мощности: 460 W, Qg - заряд затвора: 92 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 720 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4 V, Вид монтажа: SMD/SMT, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 38 ns, Высота: 5.1 mm, Длина: 14 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: PolarP, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 11 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXTT16P60, Технология: Si, Тип: PolarP Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 P-Channel, Типичное время задержки выключения: 60 ns, Типичное время задержки при включении: 29 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, Ширина: 16.05 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 16A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 600V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: PolarPв„ў ->, Supplier Device Package: TO-268, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250ВµA, Вес, г: 4, Бренд: Ixys Corporation

IXTT16P60P – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 2 364 ₽ за штуку. Купи