IXTK120N65X2 Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 120 А, Тип корпуса: TO-264P, Максимальное рассеяние мощности: 1,25 кВт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 26.3мм, Прямая активная межэлектродная проводимость: 110S, Высота: 5.3мм, Размеры: 20.3 x 26.3 x 5.3мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 20.3мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 32 нс, Производитель: IXYS, Типичное время задержки выключения: 87 нс, Серия: X2-Class, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 5V, Minimum Gate Threshold Voltage: 3V, Максимальное сопротивление сток-исток: 23 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 650 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 230 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 13,6 нФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 В, +30 В, Прямое напряжение диода: 1.4V, Id - непрерывный ток утечки: 120 A, Pd - рассеивание мощности: 1.25 mW, Qg - заряд затвора: 230 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 23 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 650 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 24 ns, Время спада: 10 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Коммерческое обозначение: HiPerFET, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: Power MOSFET Modules, Размер фабричной упаковки: 25, Технология: Si, Тип: X2-Class, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки при включении: 32 ns, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 120A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 650V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EA