NZL5V6AXV3T1G ON Semiconductor

Количество Выводов: 3вывод(-ов), Максимальное Фиксированное Напряжение: 10.1В, Рассеиваемая Мощность: 240мВт, Стандарты Автомобильной Промышленности: AEC-Q101, Стиль Корпуса Диода: SC-89, Diode Configuration: Common Anode, Maximum Operating Temperature: +150 °C, ESD protection: Yes, Number of Elements per Chip: 2, Length: 1.7mm, Maximum Clamping Voltage: 10.1V, Minimum Breakdown Voltage: 5.32V, Brand: ON Semiconductor, Maximum Peak Pulse Current: 4.8A, Package Type: SOT-523 (SC-89), Mounting Type: Surface Mount, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 0.95mm, Test Current: 5mA, Maximum Reverse Stand-off Voltage: 3V, Maximum Reverse Leakage Current: 5µA, Height: 0.8mm, Pin Count: 3, Dimensions: 1.7 x 0.95 x 0.8mm, Direction Type: Uni-Directional, Peak Pulse Power Dissipation: 50W, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8541.10.00.50, Type: TVS, Configuration: Dual Common Anode|Single, Maximum Working Voltage (V): 3, Minimum Breakdown Voltage (V): 5.32, Maximum Breakdown Voltage (V): 5.88, Maximum Clamping Voltage (V): 10.1, Maximum Peak Pulse Current (A): 4.8, Maximum Leakage Current (uA): 5, Test Current (mA): 5, Maximum Power Dissipation (mW): 240, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Operating Junction Temperature (°C): -55 to 150, Packaging: Tape and Reel, Supplier Package: SC-89, Mounting: Surface Mount, Package Height: 0.7, Package Length: 1.6, Package Width: 0.85, PCB changed: 3, Iпи - пиковый импульсный ток: 4.8 A, Pd - рассеивание мощности: 240 mW, Pppm - пиковое рассеивание мощности: 50 W, Vf - прямое напряжение: 0.9 V, Vеср - напряжение электростатического разряда при контакте: 10 kV, Категория продукта: Подавители ЭСР / диоды для подавления переходных с, Количество каналов: 2 Channel, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение пробоя: 5.32 V, Напряжение фиксации: 10.1 V, Подкатегория: TVS Diodes / E