RFP12N10L ON Semiconductor

Transistor Mounting: Through Hole, Количество Выводов: 3вывод(-ов), Максимальная Рабочая Температура: 150 C, Напряжение Измерения Rds(on): 5В, Напряжение Истока-стока Vds: 100В, Непрерывный Ток Стока: 12А, Полярность Транзистора: N Канал, Пороговое Напряжение Vgs: 2В, Рассеиваемая Мощность: 60Вт, Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on): 0.2Ом, Стиль Корпуса Транзистора: TO-220AB, Максимальный непрерывный ток стока: 12 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 60 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.83мм, Высота: 9.4мм, Размеры: 10.67 x 4.83 x 9.4мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.67мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 15 нс, Производитель: ON Semiconductor, Типичное время задержки выключения: 100 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 1V, Максимальное сопротивление сток-исток: 200 мОм, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 900 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -10 V, +10 V, Id - непрерывный ток утечки: 12 A, Pd - рассеивание мощности: 60 W, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 200 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 10 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 70 ns, Время спада: 80 ns, Другие названия товара №: RFP12N10L_NL, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 800, Серия: RFP12N10L, Технология: Si, Тип: MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки при включении: 15 ns, Торговая марка: ON Semiconductor / Fairchild, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Вес, г: 2.04, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION

RFP12N10L – артикул товара бренд