IRFU110PBF Vishay

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 100, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 4.3, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 25, Корпус: dpak, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 540, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 4.3 A, Тип корпуса: IPAK (TO-251), Максимальное рассеяние мощности: 25 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 2.38мм, Высота: 6.22мм, Размеры: 6.73 x 2.38 x 6.22мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 6.73мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 6.9 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 15 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 540 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 8.3 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 180 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Length: 6.73mm, Brand: Vishay, Maximum Power Dissipation: 25 W, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 2.38mm, Height: 6.22mm, Pin Count: 3, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 3000, Серия: IRFR/U, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-251-3, Base Product Number: IRFU1 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 4.3A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Thr