IRFBC30APBF Vishay

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 600, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 3.6, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 74, Корпус: to220ab, Крутизна характеристики S,А/В: 2.1, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4.5, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 2200, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 3.6 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 74 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 9.8 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 19 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 2.2 ?, Максимальное напряжение сток-исток: 600 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 23 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 510 пФ при 25 В, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Id - непрерывный ток утечки: 3.6 A, Pd - рассеивание мощности: 74 W, Qg - заряд затвора: 23 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.2 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 600 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, + 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 2 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 1000, Серия: IRFBC, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay Semiconductors, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Base Product Number: IRFBC30 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 3.6A (Tc), Dr