S25FS512SDSBHI210 Cypress

Architecture: Sectored, Automotive: No, Block Organization: Symmetrical, Boot Block: Yes, Cell Type: NOR, Chip Density (bit): 512M, Command Compatible: Yes, ECC Support: Yes, ECCN (US): 3A991b.1.a., EU RoHS: Compliant, Interface Type: Serial(SPI, Dual SPI, Quad SPI), Lead Shape: Ball, Location of Boot Block: Bottom|Top, Max. Access Time (ns): 8, Maximum Erase Time (s): 720/Chip, Maximum Operating Supply Voltage (V): 2, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Maximum Programming Time (ms): 2/Page, Minimum Endurance (Cycles): 100000, Minimum Operating Supply Voltage (V): 1.7, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Mounting: Surface Mount, Number of Bits/Word (bit): 1/2/4, Number of Words: 512M/256M/128M, Operating Current (mA): 100, Packaging: Tray, Page Size: 256byte|512byte, Part Status: Active, PCB changed: 24, Pin Count: 24, PPAP: No, Process Technology: 65nm, MirrorBit, Program Current (mA): 100, Programmability: Yes, Programming Voltage (V): 1.7 to 2, Sector Size: 256Kbyte x 256, Standard Package Name: BGA, Supplier Package: BGA, Supplier Temperature Grade: Industrial, Support of Page Mode: No, Timing Type: Synchronous, Typical Operating Supply Voltage (V): 1.8, Активный ток считывания — макс.: 100 mA, Быстродействие: 80 MHz, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Флеш-память NOR, Коммерческое обозначение: MirrorBit Eclipse, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение питания - макс.: 100 mA, 2 V, Напряжение питания - мин.: 1.7 V, Организация: 64 M x 8, Подкатегория: Memory Data Storage, Размер памяти: 512 Mbit, Размер фабричной упаковки: 338, Серия: S25FS512S, Тип интерфейса: SPI, Тип памяти: NOR, Тип продукта: NOR Flash, Тип синхронизации: Synchronous, Торговая марка: Cypress Semiconductor, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: BGA-24, Чувствительный к влажности: Yes, Ширина шины данных: 8 bit, Бренд: Cypress Semiconductor

S25FS512SDSBHI210 – артикул товара бренда Cypress