MC33077DR2G ON Semiconductor

EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8542.33.00.01, PCB changed: 8, Lead Shape: Gull-wing, Package Length: 5(Max), Package Width: 4(Max), Package Height: 1.5(Max), Mounting: Surface Mount, Type: Low Noise Amplifier, Manufacturer Type: Low Noise Amplifier, Number of Channels per Chip: 2, Process Technology: Bipolar, Maximum Input Offset Voltage (mV): 1@±15V, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±2.5, Typical Dual Supply Voltage (V): ±3|±5|±15|±9|±12, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±18, Maximum Input Offset Current (uA): 0.18@±15V, Maximum Input Bias Current (uA): 1@±15V, Maximum Supply Current (mA): 4.5@±15V, Power Supply Type: Dual, Typical Slew Rate (V/us): 11@±15V, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 6.7@±15V, Typical Voltage Gain (dB): 65.34, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 1.3@±15V, Minimum PSRR (dB): 80, Minimum CMRR (dB): 85, Minimum CMRR Range (dB): 85 to 90, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 37, Shut Down Support: No, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Maximum Operating Temperature (°C): 85, Packaging: Tape and Reel, Pin Count: 8, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC N, CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 85 dB, en - Интенсивность шума входного напряжения: 6.7 nV/sqrt Hz, GBP - Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT): 37 MHz, Ib - Входной ток смещения: 1 uA, In - плотность тока шума на входе: 1.3 pA/sqrt Hz, PSRR - Коэффициент подавления помех по питанию: 80 dB, SR - скорость нарастания выходного напряжения: 11 V/us, Vcm - Синфазное напряжение: Negative Rail + 1.5 V to Positive Rail - 1.5 V, Vos - Входное напряжение смещения нуля: 1 mV, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 1.5 mm, Выходной ток на канал: 26 mA, Длина: 5 mm, Категория продукта: Операционные усилители, Количество каналов: 2 Channel, Максимальная рабочая температура: + 85 C, Максимальное напряжение сдвоенного питания: +/- 18 V, Минимальная р