IRS2117PBF Infineon

Максимальная рабочая температура: +125 °C, Топология: Высокая сторона, Длина: 10.92мм, Количество выходов: 1, Минимальное рабочее напряжение питания: 10 V, Производитель: Infineon, Полярность: Неинвертирующий, Логическая совместимость входного сигнала: CMOS, Тип корпуса: PDIP, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 7.11мм, Высота: 5.33мм, Максимальное рабочее напряжение питания: 20 V, Число контактов: 8, Размеры: 10.92 x 7.11 x 5.33мм, Пиковый выходной ток: 0.6A, Количество драйверов: 1, Topology: Верхняя сторона, Length: 10.92мм, Minimum Operating Supply Voltage: 10 В, Brand: Infineon, Polarity: Неинвертирующий, Package Type: PDIP, Minimum Operating Temperature: -40 °C, Width: 7.11мм, Height: 5.33мм, Maximum Operating Supply Voltage: 20 В, Pin Count: 8, Number of Drivers: 1, Pd - рассеивание мощности: 1 W, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 130 ns, Время спада: 65 ns, Выходной ток: 290 mA, Другие названия товара №: SP001545534, Задержка распространения - макс.: 200 ns, Категория продукта: Драйверы для управления затвором, Максимальное время задержки включения: 125 ns, Максимальное время задержки выключения: 105 ns, Напряжение питания - макс.: 20 V, Напряжение питания - мин.: 10 V, Подкатегория: PMIC - Power Management ICs, Продукт: MOSFET Gate Drivers, Рабочий ток источника питания: 340 uA, Размер фабричной упаковки: 3000, Технология: Si, Тип: High Side/Low Side, Тип логики: CMOS, Тип продукта: Gate Drivers, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: PDIP-8, Input Type: Non-Inverting, Power Switch Type: IGBT, MOSFET, Sink Current: 600мА, Source Current: 290мА, Задержка Выхода: 105нс, Задержка по Входу: 125нс, Количество Выводов: 8вывод(-ов), Количество Каналов: 1канал(-ов), Конфигурация Привода: Высокая Сторона, Максимальное Напряжение Питания: 20В, Минимальное Напряжение Питания: 10В, Стиль Корпуса Привода: DIP, Вес, г: 0.53, Бренд: Infineon