IXXX110N65B4H1 Ixys

Pd - рассеивание мощности: 880 W, Вид монтажа: Through Hole, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: XPT, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 650 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.75 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 240 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 110 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: Trench - 650V - 1200V GenX33, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: PLUS 247-3, Base Product Number: 110N65 ->, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 240A, Current - Collector Pulsed (Icm): 630A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 183nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 175В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 880W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 100ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX4в„ў, XPTв„ў ->, Supplier Device Package: PLUS247в„ў-3, Switching Energy: 2.2mJ (on), 1.05mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 38ns/156ns, Test Condition: 400V, 55A, 2Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 110A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V, Вес, г: 6.5, Бренд: Ixys Corporation

IXXX110N65B4H1 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 4 422 ₽ за штуку. Купите IXXX110N65B4H1 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXXX110N65B4H1 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на