Для заказа продукции свяжитесь с нами любым удобным Вам способом. Или заполните онлайн-форму, и мы сразу ответим Вам в рабочее время
Елин Руслан, руководитель отдела продаж
Технический отдел
Казань, Адоратского, 34
KompKZN@promavtomatic.ru
FGD3050G2 ON Semiconductor
Кат. номер: FGD3050G2
Наличие: Под заказ, срок отгрузки от 5-7 дней
Стоимость: По запросу
\
Pd - рассеивание мощности: 150 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 10 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 500 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.3 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 27 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 2500, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 25 uA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: TO-252-3, Вес, г: 0.4628, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGD3050G2 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 647 ₽ за штуку. Купите FGD3050G2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGD3050G2 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGD3050G2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\\
\
Наличие\
\
Под заказ\
\
\
Производитель\
\
ON Semiconductor\
\
\
Артикул\
\
FGD3050G2\
\
\
Гарантия\
\
12 месяцев\
\
\
Состояние\
\
Новый\
\
\
Pd - рассеивание мощности: 150 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 175 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 10 V, Минимальная рабочая температура: 40 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 500 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.3 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 27 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 2500, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 25 uA, Торговая марка: ON Semiconductor, Упаковка / блок: TO-252-3, Вес, г: 0.4628, Бренд: ON Semiconductor CORPORATION
\FGD3050G2 – артикул товара бренда ON Semiconductor с розничной ценой 647 ₽ за штуку. Купите FGD3050G2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию ON Semiconductor для наших постоянных клиентов.\
\\ Купить FGD3050G2 ON Semiconductor в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\
\\ Подобрать аналоги ON Semiconductor и уточнить персональную цену на FGD3050G2 вы сможете, позвонив в Олнису по номеру, указанному вверху страницы.\
\