IXTP1R6N50D2 Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 1.6 A, Pd - рассеивание мощности: 100 W, Qg - заряд затвора: 23.7 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.3 Ohms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 500 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 70 ns, Время спада: 41 ns, Канальный режим: Depletion, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 1.75 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Продукт: MOSFET, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXTP1R6N50, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 35 ns, Типичное время задержки при включении: 25 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 1.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, ECCN: EAR99, FET Feature: Depletion Mode, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7nC @ 5V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±20V, Вес, г: 2.8, Бренд: Ixys Corporation

IXTP1R6N50D2 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 447 ₽ за штуку. Купите IXTP1R6N50D2 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\