IRF740LCPBF Vishay

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 10 A, Тип корпуса: TO-220AB, Максимальное рассеяние мощности: 125 W, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 4.7мм, Высота: 9.01мм, Размеры: 10.41 x 4.7 x 9.01мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 10.41мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 11 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 25 ns, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 550 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 400 V, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 39 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1100 pF@ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, Product Category: Power MOSFET, Process Technology: HEXFET, Configuration: Single, Channel Mode: Enhancement, Channel Type: N, Number of Elements per Chip: 1, Maximum Drain Source Voltage (V): 400, Maximum Gate Source Voltage (V): ±30, Maximum Continuous Drain Current (A): 10, Maximum Drain Source Resistance (mOhm): 550@10V, Typical Gate Charge @ Vgs (nC): 39(Max)@10V, Typical Gate Charge @ 10V (nC): 39(Max), Typical Input Capacitance @ Vds (pF): 1100@25V, Maximum Power Dissipation (mW): 125000, Typical Fall Time (ns): 20, Typical Rise Time (ns): 31, Typical Turn-Off Delay Time (ns): 25, Typical Turn-On Delay Time (ns): 11, Minimum Operating Temperature (°C): -55, Maximum Operating Temperature (°C): 150, Automotive: No, Pin Count: 3, Supplier Package: TO-220AB, Standard Package Name: TO-220, Military: No, Mounting: Through Hole, Package Height: 9.01(Max), Package Length: 10.41(Max), Package Width: 4.7(Max), PCB changed: 3, Lead Shape: Through Hole, Id - непрерывный ток утечки: 10 A, Pd - рассеивание мощности: 125 W, Qg - заряд затвора: 39 nC, Rds