IRFP150M Infineon

Максимальная рабочая температура: +175 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 42 А, Тип корпуса: TO-247AC, Максимальное рассеяние мощности: 160 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Ширина: 5.2мм, Высота: 21.1мм, Размеры: 16.13 x 5.2 x 21.1мм, Материал транзистора: Кремний, Количество элементов на ИС: 1, Длина: 16.13мм, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 11 ns, Производитель: Infineon, Типичное время задержки выключения: 45 ns, Серия: HEXFET, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Maximum Gate Threshold Voltage: 4V, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 36 м?, Максимальное напряжение сток-исток: 100 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 110 нКл при 10 В, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1900 pF @ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -20 В, +20 В, Maximum Operating Temperature: +175 °C, Length: 16.13mm, Brand: Infineon, Maximum Continuous Drain Current: 42 A, Package Type: TO-247AC, Maximum Power Dissipation: 160 Вт, Series: HEXFET, Width: 5.2мм, Maximum Drain Source Resistance: 36 m?, Maximum Drain Source Voltage: 100 В, Pin Count: 3, Typical Gate Charge @ Vgs: 110 нКл при 10 В, Transistor Material: Кремний, Channel Mode: Поднятие, Id - непрерывный ток утечки: 42 A, Pd - рассеивание мощности: 160 W, Qg - заряд затвора: 110 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 36 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 20 V, + 20 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 1.8 V, Вид монтажа: Through Hole, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 400, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Торговая марка: Infineon / IR, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247-3, Base Pro