FF200R12KE3 Infineon

Maximum Operating Temperature: +125 °C, Length: 106.4mm, Transistor Configuration: Серия, Brand: Infineon, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Maximum Continuous Collector Current: 295 A, Package Type: 62MM Module, Maximum Power Dissipation: 1.05 kW, Тип монтажа: Монтаж на панель, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Width: 61.4mm, Высота: 29mm, Число контактов: 7, Dimensions: 106.4 x 61.4 x 29mm, Switching Speed: 1МГц, Configuration: Series, Maximum Gate Emitter Voltage: ±20V, Тип канала: N, Pd - рассеивание мощности: 1.05 kW, RoHS: N, Вид монтажа: Chassis Mount, Длина: 106.4 mm, Другие названия товара №: FF200R12KE3HOSA1 SP000100735, Категория продукта: Модули биполярных транзисторов с изолированным зат, Конфигурация: Dual, Максимальная рабочая температура: + 125 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1200 V, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 1.7 V, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 200 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 10, Тип продукта: IGBT Modules, Ток утечки затвор-эмиттер: 400 nA, Торговая марка: Infineon Technologies, Упаковка: Tray, Упаковка / блок: IS5a ( 62 mm )-7, Ширина: 61.4 mm, Конфигурация транзистора: Серия, Максимальное рассеяние мощности: 1.05 кВт, Максимальный непрерывный ток коллектора: 295 А, Скорость переключения: 1МГц, Страна происхождения: CN, Тип корпуса: Модуль 62MM, Вес, г: 359, Бренд: Infineon TECHNOLOGIES AG.

FF200R12KE3 – артикул товара бренда Infineon с розничной ценой 24 825 ₽ за штуку. Купите FF200R12KE3 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Infineon для наших постоянных клиентов.\

\ Купить FF200R12KE3 Infineon в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заявку на почту или воспользоваться формой обратной связи на нашем сайте. Доставка осуществляем в любой регион России.\