IXFN110N85X Ixys

Maximum Operating Temperature: +150 °C, Number of Elements per Chip: 1, Length: 38.23mm, Transistor Configuration: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Drain Current: 110 А, Package Type: SOT227, Maximum Power Dissipation: 1.17 kW, Серия: HiperFET, Mounting Type: Поверхностный монтаж, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Width: 25.07mm, Maximum Gate Threshold Voltage: 5.5V, Высота: 9.6мм, Minimum Gate Threshold Voltage: 3.5V, Maximum Drain Source Resistance: 33 m?, Maximum Drain Source Voltage: 850 V, Pin Count: 4, Typical Gate Charge @ Vgs: 425 @ 10 V nC, Channel Mode: Поднятие, Channel Type: N, Maximum Gate Source Voltage: ±30 V, Forward Diode Voltage: 1.4V, Количество элементов на ИС: 1, Конфигурация транзистора: Одинарный, Максимальный непрерывный ток стока: 110 А, Тип корпуса: SOT227, Максимальное рассеяние мощности: 1.17 kW, Ширина: 25.07mm, Максимальное пороговое напряжение включения: 5.5V, Минимальное пороговое напряжение включения: 3.5V, Height: 9.6mm, Максимальное напряжение сток-исток: 850 В, Номер канала: Поднятие, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: ±30 V, Прямое напряжение диода: 1.4V, Id - непрерывный ток утечки: 110 A, Pd - рассеивание мощности: 1.17 kW, Qg - заряд затвора: 425 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 33 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 850 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 30 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 3.5 V, Вид монтажа: Chassis Mount, Время нарастания: 25 ns, Время спада: 11 ns, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Количество каналов: 1 Channel, Конфигурация: Single, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 43 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: N-Channel, Размер фабричной упаковки: 10, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Тип транзистора: 1 N-Channel, Типичное время задержки выключения: 144 ns, Типичное время заде