NE5532DR2G ON Semiconductor

Automotive: No, ECCN (US): EAR99, EU RoHS: Compliant, Lead Shape: Gull-wing, Manufacturer Type: Low Noise Amplifier, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±20, Maximum Input Bias Current (uA): 0.8±15V, Maximum Input Offset Current (uA): 0.15±15V, Maximum Input Offset Voltage (mV): 4±15V, Maximum Operating Temperature (°C): 70, Maximum Power Dissipation (mW): 1200, Maximum Supply Current (mA): 16±15V, Minimum CMRR (dB): 70, Minimum CMRR Range (dB): 70 to 71, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±3, Minimum PSRR (dB): 100(Typ), Mounting: Surface Mount, Number of Channels per Chip: 2, Packaging: Tape and Reel, Part Status: Obsolete, PCB changed: 16, Pin Count: 16, Power Supply Type: Dual, PPAP: No, Shut Down Support: No, Standard Package Name: SOP, Supplier Package: SOIC W, Type: Low Noise Amplifier, Typical Dual Supply Voltage (V): ±5|±9|±12|±15|±18, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 10, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 8±15V, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 2.7±15V, Typical Output Current (mA): 38, Typical Slew Rate (V/us): 9±15V, Typical Voltage Gain (dB): 100, Количество каналов на ИС: 2, Максимальная рабочая температура: +70 °C, Длина: 10.45мм, Типичная скорость нарастания: 9В/мкс, Типичное усиление по напряжению: 100 dB, Производитель: ON Semiconductor, Тип источника питания: Два, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: 0°C, Ширина: 7.6мм, Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 5нВ/?Гц, Rail to Rail: No, Высота: 2.4мм, Число контактов: 16, Размеры: 10.45 x 7.6 x 2.4мм, Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 10МГц, Типичное двойное напряжение питания: ±20V, Тип усилителя: Малошумность, Typical Slew Rate: 9В/мкс, Brand: ON Semiconductor, Height: 2.4мм, Typical Gain Bandwidth Product: 10МГц, Typical Dual Supply Voltage: ±20V, CMRR - Коэффициент подавления синфазного сигнала: 70 dB, en - Интенсивность шума