IXGT32N170 Ixys

Base Product Number: IXG*32N170 ->, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector (Ic) (Max): 75A, Current - Collector Pulsed (Icm): 200A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 155nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: NPT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-268-3, DВіPak (2 Leads + Tab), TO-268AA, Power - Max: 350W, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Supplier Device Package: TO-268, Switching Energy: 11mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 45ns/270ns, Test Condition: 1020V, 32A, 2.7Ohm, 15V, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.3V @ 15V, 32A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1700V, Pd - рассеивание мощности: 350 W, Вид монтажа: SMD/SMT, Высота: 5.1 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.05 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Конфигурация: Single, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Минимальная рабочая температура: 55 C, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.7 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.5 V, Непрерывный коллекторный ток: 75 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 75 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 200 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGT32N170, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-268-3, Ширина: 14 mm, Бренд: Ixys Corporation

IXGT32N170 – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 6 938 ₽ за штуку. Купите IXGT32N170 по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю продукцию Ixys для наших постоянных клиентов.\

\ Купить IXGT32N170 Ixys в Олнисе оптом или в розницу можно по телефону, отправить заяв