MC33202DR2G ON Semiconductor

Количество каналов на ИС: 2, Максимальная рабочая температура: +105 °C, Длина: 5мм, Типичное одиночное напряжение питания: 3 ? 9 В, Типичная скорость нарастания: 1В/мкс, Типичное усиление по напряжению: 109.54 dB, Производитель: ON Semiconductor, Тип источника питания: Двойной, одиночный, Тип корпуса: SOIC, Тип монтажа: Поверхностный монтаж, Минимальная рабочая температура: -40 °C, Ширина: 4мм, Типичная интенсивность шумов входного напряжения: 25нВ/?Гц, Rail to Rail: Ввод/вывод полного размаха напряжений, Высота: 1.5мм, Число контактов: 8, Размеры: 5 x 4 x 1.5мм, Типичное произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания: 2.18МГц, Типичное двойное напряжение питания: ±3 V, ±5 V, EU RoHS: Compliant, ECCN (US): EAR99, Part Status: Active, HTS: 8542.33.00.01, Type: Low Voltage Amplifier, Manufacturer Type: Low Voltage Amplifier, Number of Channels per Chip: 2, Process Technology: Bipolar, Maximum Input Offset Voltage (mV): 8@5V, Minimum Single Supply Voltage (V): 1.8, Typical Single Supply Voltage (V): 3|5|9, Maximum Single Supply Voltage (V): 12, Minimum Dual Supply Voltage (V): ±0.9, Typical Dual Supply Voltage (V): ±3|±5, Maximum Dual Supply Voltage (V): ±6, Maximum Input Offset Current (uA): 0.05@5V, Typical Input Bias Current (uA): 0.08@5V, Maximum Input Bias Current (uA): 0.2@5V, Maximum Supply Current (mA): 2.25@5V@-40C to 105C, Power Supply Type: Single|Dual, Typical Slew Rate (V/us): 1@5V, Typical Input Noise Voltage Density (nV/rtHz): 25@5V, Typical Voltage Gain (dB): 109.54, Typical Noninverting Input Current Noise Density (pA/rtHz): 0.8@5V, Minimum PSRR (dB): 66.02, Minimum CMRR (dB): 60, Minimum CMRR Range (dB): 60 to 65, Typical Gain Bandwidth Product (MHz): 2.2, Shut Down Support: No, Minimum Operating Temperature (°C): -40, Maximum Operating Temperature (°C): 105, Supplier Temperature Grade: Extended, Packaging: Tape and Reel, Pin Count: 8, Supplier Package: SOIC N, Standard Package Name: SOP, Mounting: Sur