IXGH30N120B3D1 Ixys

Максимальная рабочая температура: +150 °C, Transistor Configuration: Одинарный, Производитель: IXYS, Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер): 1200 В, Максимальный непрерывный ток коллектора: 50 A, Тип корпуса: TO-247, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Число контактов: 3, Maximum Operating Temperature: +150 °C, Конфигурация транзистора: Одинарный, Brand: IXYS, Maximum Continuous Collector Current: 50 A, Package Type: TO-247, Minimum Operating Temperature: -55 °C, Pd - рассеивание мощности: 300 W, Вид монтажа: Through Hole, Высота: 21.46 mm, Диапазон рабочих температур: 55 C to + 150 C, Длина: 16.26 mm, Категория продукта: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I, Коммерческое обозначение: GenX3, Максимальное напряжение затвор-эмиттер: +/- 20 V, Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1.2 kV, Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.96 V, Непрерывный коллекторный ток: 30 A, Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 50 A, Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: 150 A, Подкатегория: IGBTs, Размер фабричной упаковки: 30, Серия: IXGH30N120, Технология: Si, Тип продукта: IGBT Transistors, Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA, Торговая марка: IXYS, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-247AD-3, Ширина: 5.3 mm, Base Product Number: IXG*30N120 ->, California Prop 65: Warning Information, Current - Collector Pulsed (Icm): 150A, ECCN: EAR99, Gate Charge: 87nC, HTSUS: 8541.29.0095, IGBT Type: PT, Input Type: Standard, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-247-3, Power - Max: 300W, REACH Status: REACH Unaffected, Reverse Recovery Time (trr): 100ns, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: GenX3в„ў ->, Supplier Device Package: TO-247AD (IXGH), Switching Energy: 3.47mJ (on), 2.16mJ (off), Td (on/off) @ 25В°C: 16ns/127ns, Test Condition: 960V, 30A, 5Ohm, 15V, Vce(on) (