IXTP18P10T Ixys

Id - непрерывный ток утечки: 18 A, Pd - рассеивание мощности: 83 W, Qg - заряд затвора: 39 nC, Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 120 mOhms, Vds - напряжение пробоя сток-исток: 100 V, Vgs - напряжение затвор-исток: 15 V, Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток: 4.5 V, Вид монтажа: Through Hole, Время нарастания: 26 ns, Время спада: 22 ns, Высота: 16 mm, Длина: 10.66 mm, Канальный режим: Enhancement, Категория продукта: МОП-транзистор, Коммерческое обозначение: TrenchP, Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: 8 S, Максимальная рабочая температура: + 150 C, Минимальная рабочая температура: 55 C, Подкатегория: MOSFETs, Полярность транзистора: P-Channel, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IXTP18P10, Технология: Si, Тип: TrenchP Power MOSFET, Тип продукта: MOSFET, Типичное время задержки выключения: 44 ns, Типичное время задержки при включении: 19 ns, Торговая марка: Ixys, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.83 mm, California Prop 65: Warning Information, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 18A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 100V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: P-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, REACH Status: REACH Unaffected, RoHS Status: ROHS3 Compliant, Series: TrenchPв„ў ->, Supplier Device Package: TO-220AB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Vgs (Max): В±15V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250ВµA, Вес, г: 3, Бренд: Ixys Corporation

IXTP18P10T – артикул товара бренда Ixys с розничной ценой 329 ₽ за штуку. Купите IXTP18P10T по специальной цене оптом или в розницу в компании Олниса. Специальная цена распространяется на всю