IRFIB7N50APBF Vishay

Структура: n-канал, Максимальное напряжение сток-исток Uси,В: 500, Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А: 6.6, Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт: 60, Корпус: TO220FP-3, Крутизна характеристики S,А/В: 6.1, Максимальное пороговое напряжение затвор-исток Uзи макс.,В: 4, Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл.,мОм: 520, Температура, С: -55…+150, Максимальная рабочая температура: +150 °C, Максимальный непрерывный ток стока: 6,6 A, Тип корпуса: TO-220FP, Максимальное рассеяние мощности: 60 Вт, Тип монтажа: Монтаж на плату в отверстия, Высота: 9.8мм, Материал транзистора: SI, Количество элементов на ИС: 1, Transistor Configuration: Одинарный, Типичное время задержки включения: 14 ns, Производитель: Vishay, Типичное время задержки выключения: 32 нс, Минимальная рабочая температура: -55 °C, Minimum Gate Threshold Voltage: 2V, Максимальное сопротивление сток-исток: 520 m?, Максимальное напряжение сток-исток: 500 В, Число контактов: 3, Типичный заряд затвора при Vgs: 52 nC @ 10 V, Номер канала: Поднятие, Типичная входная емкость при Vds: 1423 pF @ 25 V, Тип канала: N, Максимальное напряжение затвор-исток: -30 V, +30 V, Вид монтажа: Through Hole, Длина: 10.41 mm, Категория продукта: МОП-транзистор, Подкатегория: MOSFETs, Размер фабричной упаковки: 50, Серия: IRFIB, Технология: Si, Тип продукта: MOSFET, Торговая марка: Vishay / Siliconix, Упаковка: Tube, Упаковка / блок: TO-220-3, Ширина: 4.7 mm, Base Product Number: IRFIB7 ->, Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C: 6.6A (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 500V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, ECCN: EAR99, FET Type: N-Channel, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52nC @ 10V, HTSUS: 8541.29.0095, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423pF @ 25V, Moisture Sensitivity Level (MSL): 1 (Unlimited), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55В°C \~ 150В°C (TJ), Package: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Power Dissipatio